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onsemi FDPF10N60ZUT
| Artikelnummer: | FDPF10N60ZUT |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 9A TO220F |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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onsemi FDPF10N60ZUT Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FDPF10N60ZUT.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Vgs (Max) ±30V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3 Serie UniFET™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 4.5A, 10V Verlustleistung (max) 42W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack Paket Tube Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1980 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A (Tc) Grundproduktnummer FDPF10 FDPF10N60ZUT Einzelheiten PDF [English] FDPF10N60ZUT PDF - EN.pdf -
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